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Des scientifiques développent un nouveau transistor d'enregistrement pour les appareils sans fil

Des scientifiques développent un nouveau transistor d'enregistrement pour les appareils sans fil


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La recherche d'un transistor plus efficace vient peut-être de recevoir un coup de pouce des ingénieurs qui disent avoir créé un transistor qui pourrait permettre des transistors moins chers et plus rapides dans les appareils sans fil.

Un nouveau transistor pourrait améliorer l'efficacité et la vitesse des appareils sans fil

Des chercheurs de l'Université de Deleware (UD) affirment avoir créé un nouveau transistor qui pourrait réduire le coût et augmenter la vitesse des appareils sans fil.

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Selon une nouvelle étude en Physique appliquée Express, les chercheurs de l'UD ont créé un transistor à haute mobilité électronique qui peut amplifier et diriger le courant électrique à l'aide de nitrure de gallium et d'une barrière de nitrure d'aluminium et d'indium sur un substrat de silicium.

Ce qui rend leur transistor si impressionnant, ce sont ses propriétés record. Il a une fuite de grille record, un rapport de courant marche / arrêt le plus élevé et la fréquence de coupure de gain de courant enregistrée la plus élevée, qui est un indicateur de la quantité de données pouvant être transmise en utilisant une grande variété de fréquences.

Tout cela rend le nouveau transistor particulièrement utile pour les appareils mobiles qui reposent sur des systèmes de communication sans fil. Pour tout courant donné, le nouveau transistor serait capable de gérer plus de tension tout en nécessitant moins d'autonomie que les transistors actuels.

"Nous fabriquons ce transistor à haut débit parce que nous voulons étendre la bande passante des communications sans fil, et cela nous donnera plus d'informations pendant un certain temps limité", a déclaré Yuping Zeng, professeur assistant en génie électrique et informatique à UD. "Il peut également être utilisé pour des applications spatiales car le transistor en nitrure de gallium que nous avons utilisé est résistant aux rayonnements, et il est également un matériau à large bande interdite, de sorte qu'il peut tolérer beaucoup de puissance."

Zeng a ajouté que: "ce procédé peut également être compatible avec la technologie complémentaire oxyde-métal-semi-conducteur au silicium, qui est la technologie conventionnelle utilisée pour les semi-conducteurs."

Dennis Prather, ancien professeur de génie électrique et informatique et co-auteur de l'article, estime que le nouveau transistor est juste à temps pour la prochaine révolution majeure des technologies de communication: les réseaux 5G.

«Avec l'ère de la 5G à nos portes, il est très excitant de voir les transistors records du professeur Zeng comme une contribution majeure à ce domaine», a-t-il déclaré. «Ses recherches sont de renommée mondiale et le Département ECE est très chanceux de l'avoir parmi ses professeurs. À cette fin, la 5G inaugure une vague de nouvelles technologies dans presque tous les aspects des communications mobiles et des réseaux sans fil, pour avoir le département ECE d'UD à la fine pointe, avec les recherches exceptionnelles du professeur Zeng, est vraiment une chose merveilleuse. "


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Commentaires:

  1. Shakinos

    Ils ont tort. Écrivez-moi dans PM.

  2. Meztitaur

    Je suis désolé, je veux aussi exprimer l'opinion.

  3. Efren

    Confidentiel, mon avis est alors évident. Je vous recommande de trouver la réponse à votre question sur google.com

  4. Anghus

    C'est nettoyé

  5. Joyanna

    Spécialement inscrit au forum pour vous en dire beaucoup pour son aide dans cette affaire.



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